近日，由世纪电源网主办的“第四届电源行业配套品牌颁奖晚会”在深圳隆重举行。在备受瞩目的颁奖环节，济南鲁晶半导体科技有限公司凭借在碳化硅（SiC）功率半导体领域的卓越表现与创新突破，成功摘得“SiC行业突破奖”。此项荣誉，是行业权威机构对鲁晶半导体技术实力、产品竞争力及市场贡献的充分肯定。
“电源行业配套品牌评选”始终秉持客观、真实、公开的原则，旨在遴选出电源产业链各环节的标杆企业，推动行业整体技术进步与生态繁荣。本次荣获“SiC行业突破奖”，标志着鲁晶半导体在第三代半导体这一战略性新兴领域已建立起显著的先发优势与品牌影响力。
技术突破：开启高压应用新纪元
作为国内领先的功率器件产品与方案提供商，鲁晶半导体长期致力于Si/SiC功率器件的研究与产业化。公司聚焦碳化硅MOSFET、碳化硅 SBD等核心产品，依托自主可控的制造工艺与封装测试能力，持续进行技术攻关与迭代，现已形成完整的碳化硅功率器件产品矩阵，覆盖650V至5000V电压等级，广泛应用于多个关键领域。
在产品布局上，公司已成功推出650V-5000V系列碳化硅肖特基二极管与1200V-3300V系列碳化硅MOSFET，可满足从消费级到工业级的多样化需求。其中，以1200V/100A、3300V/10A等高电压大电流碳化硅二极管，以及1200V/20mΩ等低导通电阻碳化硅MOSFET为代表的高性能产品系列，凭借其优异的开关特性、高可靠性、高功率密度与卓越的性价比，已在国内主流光伏逆变、新能源汽车电驱/OBC、工业电源、充电桩等高端应用中获得客户广泛验证与批量使用。
此次获奖，不仅是一份荣誉，更是一份动力。它见证了鲁晶半导体在国产化替代与技术创新道路上的坚实足迹。
展望未来，鲁晶半导体将以此为契机，继续深化在碳化硅功率半导体器件领域的布局，加大研发投入，不断突破技术壁垒。
公司将始终以客户需求为导向，携手产业链合作伙伴，共同推动SiC技术的普及与应用，为我国电力电子产业的高质量发展和国家“双碳”战略目标的实现，贡献更多智慧和力量。
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