碳化硅肖特基势垒二极管（SiC SBD）的价值，不只是正向压降低（VF）。在高频、高压和高温工作条件下，还需要综合考虑反向恢复电荷（Qrr）、电容充放电电荷（Qc）、反向漏电流（IR）、浪涌电流能力（IFSM）以及散热可靠性。

传统纯肖特基结构（Pure SBD）主要依靠多数载流子导电，开关速度快；结势垒肖特基结构（JBS）通过加入 p+ 区，在反向电压下减弱肖特基金属接触区的电场，从而降低漏电；混合式 PiN 肖特基结构（MPS）增加局部 PiN 导电通道，提高器件承受浪涌电流的能力；沟槽辅助或半超结结构则进一步利用沟槽和三维电场控制，在保持高耐压的同时，降低漂移区电阻和反向漏电。

 02 半超结SiC SBD的工作原理

半超结 SiC SBD 技术，是沟槽型 SiC 肖特基二极管的代表方案之一。它并不是把硅器件中的沟槽肖特基结构直接照搬到碳化硅上，而是在 n 型漂移层内形成沟槽和 p 型区域。器件承受反向电压时，耗尽区可以更充分地展开，减轻肖特基接触附近的电场集中；器件正向导通时，则通过三维电场和结构设计降低漂移区电阻。

 03 反向恢复与电容电荷Qc

硅 PN 二极管关断时，需要清除器件内部储存的少数载流子电荷，因此会产生反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复峰值电流（Irr）和反向恢复时间（trr）。SiC SBD 主要依靠多数载流子导电，几乎没有少数载流子储存，所以 Qrr 接近于零。不过，肖特基二极管仍然存在结电容，关断时会产生电容充放电电流。因此，在分析高频开关损耗时，不能只看 Qrr，还要关注电容电荷 Qc。

 04 不同工艺结构的性能对比

比较不同结构时，应结合实际应用条件，不能只看正向压降 VF。还需要关注高温漏电、浪涌承受能力、关断时的电容损耗以及封装散热能力。下表属于趋势性对比，实际选型仍应查看各厂商规格书中的反向电压（VR）、正向电流（IF）、结温（Tj）、电流变化率（di/dt）和脉冲测试条件。

 05 系统损耗分析

在功率因数校正电路（PFC）、车载充电机（OBC）、服务器电源、光伏逆变器或储能系统中，SiC SBD 的实际价值由多项损耗共同决定，不能只看某一个参数。可从以下几个方面进行分析：