鲁晶芯,智未来!鲁晶半导体徐文汇亮相高价值专利路演,硬核展示5kV高压碳化硅技术

2026-06-12
资本赋能

2026年5月8日,由济南市市场监督管理局联合济南高新区在山东省知识产权公共服务平台举办的"智创赋能·才聚泉城"高价值专利创新创业项目路演活动顺利举行。


作为本次活动备受瞩目的第三代半导体企业代表,济南鲁晶半导体有限公司创始人、总经理徐文汇登台,发表了题为《面向高压碳化硅功率器件工艺技术研发项目》的路演报告。这不仅是一场融资推介,更是一次对国产高压功率器件技术壁垒的自信展示。

聚焦高压"无人区",攻克5.0kV SiC核心技术


鲁晶半导体自2010年成立以来专注功率器件国产化,近年来重点布局第三代半导体——碳化硅功率器件(SiC SBD、SiC MOSFET)的研发与封测。公司碳化硅功率器件封装及应用创新项目曾被列为山东省第三批技术创新项目,并成功揭榜济南市"5kV碳化硅产品揭榜挂帅"项目,联合山东大学、山东管理学院攻克5.0kV高压SiC肖特基二极管"无人区"技术难点。
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本次路演重点展示了公司在高压碳化硅器件工艺优化、可靠性提升及系统应用适配方面的在研技术路线,以及相关高价值专利(目前已获授权发明专利8项、实用新型75项,合计80余项专利)的布局情况。

产学研用:构建第三代半导体生态圈


徐文汇特别强调了鲁晶半导体的“智力引擎”。他介绍,公司与山东大学新一代半导体材料研究院建立了深度产学研合作,通过“揭榜挂帅”机制,将高校的前沿科研成果转化为落地生产力。这种“企业出题、高校解题、政府助题”的模式,确保了鲁晶在技术迭代上的领先优势。


目前,鲁晶的高压SiC产品已广泛应用于新能源汽车、光伏储能、智能电网及工业控制等关键领域,成为LG、美的、海信、浪潮等头部企业的合格供应商,切实服务于国家的“双碳”战略目标。

活动现场投资机构与知识产权专家对鲁晶半导体的技术壁垒、专利质量及细分赛道前景给予积极评价,并就专利转化运用、产业链协同等话题展开互动交流。此次活动有效促进了高价值专利成果的供需对接,为我市战略性新兴产业发展提供了有力支撑。


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